Información Básica.
No. de Modelo.
OSS65R340FF TO220F
Tipo de descarga
Resistencia Constante
Electrólito
Pila Ácida
Certificación
RoHS
descripción
pérdida de conmutación extremadamente baja
características
excelente estabilidad y uniformidad
aplicaciones
alimentación del pc
industrias
iluminación led
Paquete de Transporte
Air
Marca Comercial
Orientalsemiconductor
Origen
China
Código del HS
854129000
Capacidad de Producción
20kkkk/Monthly
Descripción de Producto
Descripción general
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una excelente resistencia a la baja y bajar la compuerta de carga. Ha sido diseñado para minimizar la pérdida de la conducción, ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y sólida capacidad de avalancha.
La serie SuperSi GreenMOS® se basa en el semiconductor orientales exclusivo diseño del dispositivo para lograr las características de conmutación extremadamente rápido. Es el perfecto sustituto para el nitruro de galio (GaN) dispositivo en las operaciones de alta frecuencia con la mejor de la robustez y costo. Está orientado a satisfacer las normas de eficiencia más agresivo de los sistemas de alimentación empujando tanto el rendimiento y densidad de potencia a límites extremos.
Características
Aplicaciones
Los parámetros de rendimiento clave
Marcar información
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una excelente resistencia a la baja y bajar la compuerta de carga. Ha sido diseñado para minimizar la pérdida de la conducción, ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y sólida capacidad de avalancha.
La serie SuperSi GreenMOS® se basa en el semiconductor orientales exclusivo diseño del dispositivo para lograr las características de conmutación extremadamente rápido. Es el perfecto sustituto para el nitruro de galio (GaN) dispositivo en las operaciones de alta frecuencia con la mejor de la robustez y costo. Está orientado a satisfacer las normas de eficiencia más agresivo de los sistemas de alimentación empujando tanto el rendimiento y densidad de potencia a límites extremos.
Características
- Bajo RDS(on) y la FOM
- Extremadamente baja pérdida de conmutación
- Excelente estabilidad y uniformidad
- Fácil diseño en
Aplicaciones
- Cargador de PD
- Pantalla grande
- El poder de telecomunicaciones
- Alimentación del servidor.
Los parámetros de rendimiento clave
| El parámetro | Valor | Unidad |
| VDS, min @ Tj(máx.). | 700 | V |
| Pulso, ID. | 36 | Un |
| RDS(on), max @ VGS=10V | 340 | MΩ |
| Qg | 9.6 | NC |
Marcar información
| El nombre del producto | Paquete | El marcado |
| OSS65R340DF | A252 | OSS65R340D |
Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
Las características térmicas
Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario
| El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Vaciado de la tensión de fuente | VDS. | 650 | V |
| Gate-tensión de la fuente | VGS | ±30 | V |
| Corriente de drenaje continuo1), el TC=25 °C | ID. | 12 | Un |
| Corriente de drenaje continuo1), el TC=100 °C | 7.6 | ||
| Impulsos de corriente de drenaje2), el TC=25 °C | Pulso, ID. | 36 | Un |
| Diodo continua corriente1), el TC=25 °C | Es | 12 | Un |
| El diodo corriente pulsada2), el TC=25 °C | Es, el pulso | 36 | Un |
| Disipación de potencia3), el TC=25 °C | PD | 83 | W |
| Solo avalancha de pulsos de energía5). | EAS | 200 | MJ |
| Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V. | Dv/dt | 50 | V/ns |
| Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID. | Dv/dt | 15 | V/ns |
| Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C. |
Las características térmicas
| El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Resistencia térmica, en la intersección de los casos | RθJC | 1.5 | °C/W |
| Resistencia térmica, junction ambiente4). | RθJA | 62 | °C/W |
Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
Vaciar el origen de la tensión de ruptura | BVDSS | 650 | V | VGS = 0 V, ID=250 µa | ||
| 700 | VGS = 0 V, ID=250 µa, TJ=150 °C | |||||
| Tensión umbral de puerta | VGS(a) | 2.9 | 3.9 | V | VDS=VGS, ID=250 µa | |
Fuente de drenaje en el estado resistencia | RDS(on) | 0.30 | 0.34 | Ω. | VGS=10 V, ID=6 | |
| 0.73 | VGS=10 V, ID=6, TJ=150 °C | |||||
| Gate-fuente corriente de fuga. | IGSS | 100 | NA | VGS=30 V | ||
| -100 | VGS=-30 V | |||||
| Fuente de drenaje de corriente de fuga. | IDSS | 1 | ΜA | VDS=650 V, VGS = 0 V. |
Características dinámicas
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
| La capacitancia de entrada | La CISS | 443.5 | PF | VGS = 0 V, VDS.=50 V, ƒ=100 KHz. | ||
| La capacitancia de salida | Coss | 59.6 | PF | |||
| La transferencia inversa la capacitancia | Sir | 1.7 | PF | |||
| Tiempo de retardo de encendido | Td(en) | 22.4 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 | ||
| Tiempo de subida | Tr | 17.5 | Ns | |||
| Desactivar el tiempo de retraso | Td(off) | 40.3 | Ns | |||
| Tiempo de bajada | Tf | 7.2 | Ns |
Características de carga de la puerta
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
| El total de carga de la puerta | Qg | 9.6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 | ||
| Carga de la fuente de puerta. | Qgs | 2.2 | NC | |||
| Carga de drenaje de puerta. | Qgd | 4.5 | NC | |||
| Tensión de la meseta de puerta | Vplateau | 6.5 | V |
Características Diodo cuerpo
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
| El diodo tensión directa | VSD | 1.3 | V | Es de=12, VGS = 0 V. | ||
| Invertir el tiempo de recuperación | Trr | 236,5 | Ns | VR=400 V, es de=6, Di/dt=100 A/μs | ||
| Carga de la recuperación de marcha atrás | Qrr | 2.2 | ΜC | |||
| El pico de corriente de recuperación inversa | Irrm | 19.1 | Un |
Nota
- Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
- Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
- Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
- El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 °C.
- VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, a partir de TJ=25 °C.
